【摘 要】
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前言从国际上近年来离子注入应用在IC特别是VLSI中的一些迅速进展,联想到国内的差距和实际存在的一些问题,我想就“离子注入(I/I)在集成电路(IC)和超大规模集成电路(VLSI)中
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前言从国际上近年来离子注入应用在IC特别是VLSI中的一些迅速进展,联想到国内的差距和实际存在的一些问题,我想就“离子注入(I/I)在集成电路(IC)和超大规模集成电路(VLSI)中应用的现状、问题和建议”这个题目谈谈自己的见解,对离子注入为集成电路的发展,也许更好一些,不对之处,欢迎批评指正。
Preface From the rapid progress made in recent years in ion implantation applications in ICs, especially in VLSIs, and recalling the domestic disparities and the actual problems, I would like to comment on the “ion implantation (I / I) in integrated circuits (ICs) and VLSI application of the status quo, problems and suggestions, ”the subject talk about my own opinion, the ion implantation for the development of integrated circuits, may be better, wrong, welcomed the criticism.
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