切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
美国稀土进出口情况
美国稀土进出口情况
来源 :稀土信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cd21love
【摘 要】
:
美国国际贸易部门对稀土产品进出口情况进行追踪。包括下列几类产品: (1)稀土氧化物(不包括氧化铈) (2)铈化合物 1993年美国稀土贸易情况见下表;
【作 者】
:
杨翠莲
【出 处】
:
稀土信息
【发表日期】
:
1994年Z1期
【关键词】
:
稀土金属
稀土氯化物
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
美国国际贸易部门对稀土产品进出口情况进行追踪。包括下列几类产品: (1)稀土氧化物(不包括氧化铈) (2)铈化合物 1993年美国稀土贸易情况见下表;
其他文献
电吸收调制器和DFB激光器集成器件的测量
提出了一种测量电吸收调制器和激光器集成器件芯片散射参数的新方法.根据电吸收调制器和封装寄生参数的等效电路模型,对测量的反射系数进行拟合,得到封装寄生参数和电吸收调制器
期刊
电吸收调制器
集成光电器件
分布反馈激光器
散射参数
测量
electroabsorption modulatorintegrated optoelectron
氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响
P^+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化,在多晶硅栅内注入N^+的工艺可抑制硼扩散,制备出栅介质厚度为4.6nm的P^+S栅MOS电容,通过SIMS测试分析和I-V、C-V
期刊
氮注入
多晶硅
超薄SiO2栅
介质性能
栅介质
硼扩散
CMOS
gate oxidenitrogen implantationboron penetrati
美国CSUS混合式教学实践经验的浅析
本文在了解美国混合式教学法的实践及研究现状的基础,提出工程技术类课程开展混合式教学的难点,并重点介绍了美国加州州立大学萨克拉门托分校(CSUS)两门课程开展混合式教学的
期刊
混合式教学
工程技术课程
教学方法
hybrid teachingengineering coursesteaching methods
DES密码电路的抗差分功耗分析设计
提出一种互补结构的寄存器电路设计方案,用于减小DES加密电路的差分功率信号,防御差分功耗分析.提出了一种误导攻击者的干扰电路,在保证加密电路安全等级的前提下,大幅度降低了电
期刊
差分功耗分析
互补结构
抗攻击电路
DES
differential power analysis complement strueture anti-atta
折叠内插模数转换器分析及实现
应用Matlab/Simulink工具对折叠内插模数转换器进行了建模,研究了具有8bit分辨率、200MHz采样频率的该模数转换器的芯片设计和实现.系统设计时采用Matlab/Simulink进行行为级建模
期刊
模数转换器
电路建模
折叠内插
analog-to-digital convertercircuit modelingfolding and interpola
河北省年内将培训百万山区农民
为进一步推动山区科技进步和经济发展,河北省今年将在山区歼展“双百”科技培训活动,即优选百项先进适用农业新技术向山区推广,并通过各种形式培训农民100万人。
期刊
山区农民
科技培训
河北省
农业新技术
经济发展
科技进步
一种抗辐照SOI反相器
制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOSl和一个额外的nMOSl.当受到辐照后,pMOSl和nMOSl输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端“高”
期刊
辐照效应
反相器
输出高电平
radiation inverter output voltage
胆石症的自我防治
胆石症的自我防治文/张天社,石桂萍随着人们生活水平的提高,身体肥胖者越来越多,胆结石患者的比例也日益提高,尤其是45岁以上的中老年人,发病率更有增高趋势。此病有的人无明显症状而
期刊
胆石症
胆绞痛
胆结石
中老年人
药物疗法
急慢性胆囊炎
自我防治
急性胆系感染
保持大便通畅
结石患者
双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型
利用泊松方程以及异质结能带理论,通过费米能级一二维电子气浓度的线性近似,推导了基于双异质结双平面掺杂的HEMT器件的电荷控制模型.计算分析了沟道顶部和底部平面掺杂浓度,栅金
期刊
高电子迁移率晶体管(HEMT)
电荷控制模型
异质结
二维电子气
双平面掺杂
EEACC
1350A
2560S
HEMTcharge control mode
Si间隔层对利用低温Si缓冲层生长高弛豫SiGe层的影响
利用低温生长Si缓冲层与Si间隔层相结合的方法生长高弛豫SiGe层,研究了Si间隔层在其中的作用.利用化学腐蚀和光学显微镜,观察了不同外延层厚度处位错的腐蚀图样.研究了不同温
期刊
SIGE
应变弛豫
位错
与本文相关的学术论文