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采用InGaAs／InGaAsP应变量子阱折射率分别限制（SCH）宽波导结构结合优化欧姆接触减小串联电阻的方法，制作出高效率大功率1．06μm波段半导体激光列阵模块。激光芯片宽1cm，腔长1200μm，条宽200μm，填充密度为50％；室温连续输出功率为50．2W时光电转换效率达到56．9％。
高效率1．06μm波段大功率半导体激光列阵模块
【摘 要】
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采用InGaAs／InGaAsP应变量子阱折射率分别限制（SCH）宽波导结构结合优化欧姆接触减小串联电阻的方法，制作出高效率大功率1．06μm波段半导体激光列阵模块。激光芯片宽1cm，腔长1200μm
【机 构】
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中国科学院长謇光学精密机械与物理研究所激发态开放实验窒．吉林长春130033,中国科学院研究生院
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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2006年3期
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