用MBE法生长GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的半绝缘Al_xGa_(1-x)As缓冲层

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用分子束外延法生长了以半绝缘Al_xGa_(1-x)As为缓冲层的GaAs外延层,这种缓冲层具有很高的击穿电压。研究了击穿电压与生长条件和Al_xGa_(1-x)As缓冲层组份之间的关系。当Ⅴ族与Ⅲ族元素束流强度比增加时,以Al_(0.4)Ga_(0.6)As层作缓冲层的击穿电压比以GaAs层作缓冲层的击穿电压要高得多,而且在Al_(0.4)Ga_(0.6)As上生长的GaAs有源层具有很高的质量。 The GaAs epitaxial layer is grown by molecular beam epitaxy with a semi-insulating Al_xGa_ (1-x) As buffer layer, which has a high breakdown voltage. The relationship between the breakdown voltage and the growth conditions and the Al_xGa_ (1-x) As buffer layer composition was investigated. When the beam intensity ratios of group V and group III elements increase, the breakdown voltage of buffer layer with Al 0.4 Ga 0.6 As layer is much higher than the breakdown voltage of buffer layer with GaAs layer, The GaAs active layer grown on Al_ (0.4) Ga_ (0.6) As has high quality.
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