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BSC-ISFET(Back-Side Contacted ISFEI)即背面引线离子敏感器件是化学传感器的又一突破。本文重点介绍其基本结构和工艺特点,并简述其发展概况。
ISFET的新突破—BSC—ISFET初探
【摘 要】
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BSC-ISFET(Back-Side Contacted ISFEI)即背面引线离子敏感器件是化学传感器的又一突破。本文重点介绍其基本结构和工艺特点,并简述其发展概况。
【机 构】
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北京理工大学电子工程系
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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1991年4期
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