LP—MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料

来源 :兰州大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:j15890193764
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Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料崔敬忠,甘润今,陈光华,张仿清(兰州大学物理学系,兰州730000)杨树人,刘宝林,陈伯军,刘式墉(国家集成光电子学联合实验室,吉林大学实验区,长春130023)与InP匹配的In0.52Al0.48As...更多还原
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