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采用氧化还原法真空抽滤制备不同还原程度的石墨烯薄膜，用X射线衍射（XRD）、红外光谱（FTIR）、拉曼光谱（Raman）、四探针电阻率测试仪对石墨烯样品及中间产物表征。结果表明，石墨经氧化后结构层键合上多种含氧官能团，层间距增大，其拉曼光谱表现为D峰宽化且增强，C峰宽化并向高波数方向偏移，且导电性能急剧减弱。通过改变还原阶段的反应时间可对石墨烯的电学性能进行有效调控。