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在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上，对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论．通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应．新模型结果与二维数值模拟软件MEDICI吻合较好．
隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响
【摘 要】
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在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上，对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论．通过与一维模型的比较，说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二
【机 构】
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江南大学信息工程学院,中国科学院微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2008年3期
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