高速SOIMOS器件及环振电路的研制

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tomily98
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采用SOI/CMOS工艺成功地研制出沟道长度为0.8μm的SOI器件和环振电路,在5和3V电民压时51级环振的单门延迟时间分别为82ps和281ps,速度明显高于相应的体硅电路,由于采用硅边缘注入技术,寄生边缘管得到较好的抑制,对沟道宽度对SOI器件特性的影响进行了讨论,实验表明SOI器件是高速和低压低功耗电路的理想选择。
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