稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性

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【摘要】

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测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入Si基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退

【作者】

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元美玲汪庆年张晓峰王水凤姜乐

【机构】

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南昌大学物理系,南昌大学信息工程学院,南昌大学材料科学与工程系,南昌大学信息中心

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

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2005年5期

【关键词】

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ND掺杂多孔硅酸处理光致发光 Nd doped porous treaded by acid photoluminescence

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测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入Si基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定.在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变.在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光(PL)谱.发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高.

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