【摘 要】
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利用三元共电沉积制备金属前驱体,经预加热和硫化热处理后,成功合成了Cu2ZnSnS4薄膜。借助循环伏安法确定三元共沉积电位为E=-1.25V,考察pH值和电解液离子浓度对金属前驱体元
【机 构】
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华中科技大学中欧清洁与可再生能源学院,华中科技大学能源与动力工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（21203069）, 国家科技支撑计划资助项目（2015BAD21B05-1）
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利用三元共电沉积制备金属前驱体,经预加热和硫化热处理后,成功合成了Cu2ZnSnS4薄膜。借助循环伏安法确定三元共沉积电位为E=-1.25V,考察pH值和电解液离子浓度对金属前驱体元素成分和物相的影响,筛选出电沉积的最佳工艺参数（8mmol/L SnSO4,22mmol/L CuSO4·5H2O,22mmol/L ZnSO4·7H2O,200mmol/LNa3C6H5O7·2H2O和pH值=5.7）,沉积到成分比例接近最佳元素比的金属前驱体（n（Cu）/n（Zn＋Sn）≈0.
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