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以纳米SiO2粉体为原料,在高压高温下研究其晶化过程.XRD和Raman谱表明,纳米SiO2在常压1 000~1 600 ℃条件下,晶化成α-方石英和少量的鳞石英;在2.0~3.5 GPa,320~1 100 ℃条件下,晶化成α-石英;在3.9 GPa,320~1 100 ℃条件下,晶化成柯石英.