亚微米硅外延生长特性研究

来源 :薄膜科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yongz
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本文利用附面层模型,研究了亚性米Si外延生长中,生长速率随时间的变化规律,分析不同不的硅源及不同的生长条件对其的影响。
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