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报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器件的跨导为600mS／mm，阈值电压为-1．2V，最大电流密度为500mA／mm，截止频率为120GHz．
截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT
【摘 要】
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报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器件的跨导为600mS／mm，阈值电压为-1．2V，最大电流密度为500mA／mm，截止频率为120GHz．
【机 构】
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中国科学院微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:60276021),,国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~
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