氮化硼基电器用导电陶瓷的制备及性能研究

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以微米h-BN和TiB2为主要原料,以微米Y2O3、AlN以及Si3N4为添加剂,采用热压烧结工艺制备了氮化硼基电器用导电陶瓷材料,并分析了烧结样品的体积密度、弯曲强度、硬度以及导电性能。结果表明,当微米h-BN添加量为48wt%,TiB2为16wt%,Y2O3为4wt%,Al N为16wt%,Si3N4为16wt%时,所制备的导电陶瓷材料性能最佳,体积密度2.69 g·cm-3,弯曲强度139.5 MPa,硬度199.7 kgf/mm2,电阻率为595μΩ·cm。 The conductive ceramic materials for boron nitride based electrical appliances were prepared by hot pressing sintering process using micron h-BN and TiB2 as the main raw materials, and micron Y2O3, AlN and Si3N4 as additives. The bulk density, flexural strength, Hardness and electrical conductivity. The results show that the best performance of the conductive ceramic materials prepared when the amount of micro-h-BN is 48wt%, TiB2 is 16wt%, Y2O3 is 4wt%, AlN is 16wt%, Si3N4 is 16wt%, the bulk density is 2.69g Cm-3, flexural strength 139.5 MPa, hardness 199.7 kgf / mm2, resistivity 595 μΩ · cm.
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