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采用反应射频磁控溅射技术在熔融石英玻璃衬底上制备了组分单一的二氧化钒薄膜。在制备好的二氧化钒薄膜上使用半导体工艺制备了金属叉指电极，通过半导体测试仪测试其电致相变特性。结果表明，当电极上所加电压达到一定阈值时电流发生突变，即薄膜发生半导体-金属相变。
磁控溅射沉积二氧化钒薄膜及其电致相变特性研究
【摘 要】
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采用反应射频磁控溅射技术在熔融石英玻璃衬底上制备了组分单一的二氧化钒薄膜。在制备好的二氧化钒薄膜上使用半导体工艺制备了金属叉指电极，通过半导体测试仪测试其电致相变
【机 构】
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兰州物理研究所
【出 处】
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真空与低温
【发表日期】
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2010年1期
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