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借助于XPS分析技术，首次研究了MOS结构栅SiO2中引入N后的结键模式。结果表明，N主要以Si-N而非Si-O-N结键形式存在于栅SiO2中。含N MOS介质抗辐射／热载流子损伤能力得以提高的根本原因是Si-N结键替换部分对辐射敏感的Si-O应力键。
含氮MOS栅介质中氮的结键模式
【摘 要】
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借助于XPS分析技术，首次研究了MOS结构栅SiO2中引入N后的结键模式。结果表明，N主要以Si-N而非Si-O-N结键形式存在于栅SiO2中。含N MOS介质抗辐射／热载流子损伤能力得以提高的根
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2002年3期
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