二维空穴气相关论文
当固体的一个或多个维度降低时,就产生了低维结构,或低维系统,材料的表面和界面、石墨烯等二维材料及纳米带都属于低维系统;由于维......
硅基光电子集成和半导体量子计算是两大前沿研究领域。硅基光源的实现是硅基光电子集成的核心课题。将直接带隙的III-V族发光材料......
利用分子束外延技术在(311)A衬底上,使用单一的硅源作为掺杂剂,通过控制Ⅴ/Ⅲ比和衬底温度等生长条件生长出不同导电类型的半导体......
通过自洽求解一维泊松方程和薛定谔方程,得到了p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处的价带结构和二维空穴气(2DHG)分布,研究了A1组......
为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此......
对Ga面p型GaN/Al0·35Ga0·65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型......
通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20 mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响......
提出了一种新颖的GaAs基p沟异质结场效应管(pHFET)概念,器件采用了In0.5Ga0.5P/GaAs异质系统及二维空穴气(2DHG)原理以改善GaAs的......
Anomalous Hall Effect in Spin-Polarized Two-Dimensional Hole Gas with Cubic-Rashbsa Spin-Orbit Inter
<正> Based on the Kubo formalism,the anomalous Hall effect in a magnetic two-dimensional hole gas withcubic-Rashba spin-......
氮化镓半导体P型材料掺杂杂困难导致难以制备理想低阻抗P型材料,LED P区特性对其发光效率影响甚大,本研究藉由改善器件P区特性改善......
报道了p-GaN／Al0.35Ga0.65N／GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能．器件的测试结果表明，在p-GaN／Al0.35Ga0.65N／GaN双异质结......
测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体－半导体器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系，对这种依赖关系作出了定性的解释。......
提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法.它使用半轴向近似把Luttinger哈密顿简约成3*3矩阵,而仍保留价带的扭曲性和......
