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用溶胶-凝胶法在不同的基片上制备了具有高度c轴即(002)取向的ZnO薄膜,研究了溶剂,稳定剂等对合成的先体溶液的影响,对薄膜的XRD分析表明随热处理温度的增加,c轴取向度增大,并且薄膜的晶粒尺寸在300℃~500℃范围内增幅增大,用端面耦合的方法测量了制备在SiO2/Si(111)基片上薄膜的波地损耗,即随热处理温度的增加,波导损耗增大,主要来源于ZnO薄膜与SiO2界面及晶粒的散射,制备在Pt