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期刊论文
SiC薄膜的制备工艺研究进展
SiC薄膜的制备工艺研究进展
来源 :纳米科技 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lizhigang3637
【摘 要】
:
作为新一代的半导体材料,SiC具有优良的化学物理性质,因此,SiC薄膜的制备工艺也越来越受到人们的关注。本文主要对当前SiC薄膜的制备工艺进行详细的研究介绍,并进一步总结讨论了
【作 者】
:
艾学正
范梦慧
谢泉
王凯
【机 构】
:
贵州大学大数据与信息工程学院
【出 处】
:
纳米科技
【发表日期】
:
2015年5期
【关键词】
:
SiC薄膜结构性质
物理汽相
沉积化学
汽相沉积
SiC thin film structure properties of physical vapor de
【基金项目】
:
国家自然科学基金项目(61264004),科技部国际科技合作专项项目(2008DFA52210),贵州省科技攻关项目(黔科合GY字[201113015),贵州省科技创新人才团队建设专项资金项目(黔科合人才团队[201114002),贵州省国际科技合作项目(黔科合外G字[2012]7004.[2013]7003).贵州省教育厅“125”重大科技专项项目(黔教合重大专项字[20121003),贵阳市科
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作为新一代的半导体材料,SiC具有优良的化学物理性质,因此,SiC薄膜的制备工艺也越来越受到人们的关注。本文主要对当前SiC薄膜的制备工艺进行详细的研究介绍,并进一步总结讨论了各种制备工艺的优缺点。
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