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研究了射频溅射法制备的金属／半导体类型颗粒膜的光学特性。通过样品透射谱分析，发现金属Fe的掺杂使半导体In2O3的带间跌迁由直接跃迁变为间接跃迁；随Fe所占体积份数的增加，局域态尾变宽，带隙变窄。这是由于掺入Fe颗粒后。母体材料与金属颗粒的界面处表面态增多，以及母体材料的非晶化引起的。
金属掺杂对In2O3薄膜光学性质的影响
【摘 要】
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研究了射频溅射法制备的金属／半导体类型颗粒膜的光学特性。通过样品透射谱分析，发现金属Fe的掺杂使半导体In2O3的带间跌迁由直接跃迁变为间接跃迁；随Fe所占体积份数的增加，局域
【机 构】
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潍坊学院教育科学与技术系
【出 处】
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中国材料科技与设备
【发表日期】
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2006年1期
【基金项目】
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潍坊学院自然科学基金资助项目（2004205）
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