【摘 要】
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本文就近一、二年以来半导体光电器件制作技术的新工艺、新技术作了较全面的介绍。该文内容包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物的单晶膜的外延生长工艺的改进;新的外延生长技术;Si及
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本文就近一、二年以来半导体光电器件制作技术的新工艺、新技术作了较全面的介绍。该文内容包括Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物的单晶膜的外延生长工艺的改进;新的外延生长技术;Si及GaAs衬底上异质结电子学技术;制管工艺中重点工艺的最新进展。并介绍了这些新技术在半导体光电器件中所取得的成就。
This article in the recent one or two years semiconductor optoelectronic device manufacturing technology new technology, new technology made a more comprehensive introduction. This paper includes the improvement of epitaxial growth of single-crystal films of III-V, II-VI compounds, new epitaxial growth techniques, heterojunction electronics on Si and GaAs substrates, The latest progress. The achievements of these new technologies in semiconductor optoelectronic devices are also introduced.
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