GaAs—GaAlAs双异质结发光管的欧姆接触

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yqy1980
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一、前言欧姆接触是制管工艺的主要环节之一,欧姆接触的好坏对器件性能有很大的影响。为了使所需的电压电流顺利地加到发光器件上,发光二极管必须具有N面和P面电极。电极和器件之间应形成良好的欧姆接触。良好的欧姆接触应具备下列条件:(一)具有低的接触电阻;(二) 电极材料不宜过深掺入半导体内,由于制作接触电极而引起的半导体结构上的变化不致于引起器件其他特性的变化;(三) 电极和半导体接触面必 First, the introduction Ohmic contact is one of the main aspects of pipe technology, Ohm contact quality has a great impact on device performance. In order to smoothly apply the required voltage and current to the light-emitting device, the light-emitting diode must have N-plane and P-plane electrodes. A good ohmic contact should be formed between the electrode and the device. Good ohmic contact should meet the following conditions: (A) has a low contact resistance; (B) the electrode material should not be too deeply incorporated into the semiconductor, due to the production of contact electrodes caused by changes in the semiconductor structure will not cause other characteristics of the device Change; (three) the electrode and the semiconductor contact surface will be
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