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旁栅效应是制约GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压VthSG与旁栅距LSG的关系,发现VthSG与LSG成正比关系.这一结论对数字电路设计具有重要指导意义,在设计电路版图时可根据电路的逻辑电平摆幅VSW选择器件之间的最小距离L.
旁栅阈值电压与旁栅距的关系研究
【摘 要】
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旁栅效应是制约GaAs器件及电路性能的有害寄生效应.文中理论推导并实验研究了旁栅阈值电压VthSG与旁栅距LSG的关系,发现VthSG与LSG成正比关系.这一结论对数字电路设计具有重
【机 构】
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合肥工业大学,中科院上海冶金所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年3期
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