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本文详细地叙述了用 Si2N4/SiO2作栅介质的 P 沟硅栅器件的工艺。这个特殊工艺的许多引人注目的特点包括多晶硅和硅的接触.用玻璃流变退火获得改善了的金属台阶覆盖层,较低的快态密度以获得好的 l/f 噪声特性和采用砷离子注入获得的高的寄生场阈值电压。
用Si_3N_4/SiO_2作栅介质的P沟硅栅大规模集成器件的制备
【摘 要】
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本文详细地叙述了用 Si2N4/SiO2作栅介质的 P 沟硅栅器件的工艺。这个特殊工艺的许多引人注目的特点包括多晶硅和硅的接触.用玻璃流变退火获得改善了的金属台阶覆盖层,较低的
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1977年01期
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