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用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ayun33

【摘 要】

：

利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了

【作 者】

：

王敬 梁仁荣 徐阳 刘志弘 许军 钱佩信 

【机 构】

：

清华大学微电子学研究所

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

应变硅 锗硅虚衬底 减压化学气相沉积 

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目(批准号:60476017)

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利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%.

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