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采用化学气相沉积 （CVD） 法,以高纯ZnO和活性C混合粉末为原料,以NH3为掺杂气体,在Si （111）衬底上制备了N掺杂的ZnO纳米线阵列,用X射线衍射仪 （XRD）、扫描电镜 （SEM）、拉曼光谱对样品进行分析,结果表明, 氮气的掺杂过程对生长N掺杂的ZnO纳米线阵列有一定的影响。除此之外,N掺杂的ZnO纳微米p-n结被合成,表现出很明显的整流特性。