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由于GaN基量子点具有较强的量子效应，有望获得比其他量子阱器件更优异的性能。目前GaN基量子点的制备及其光学特性已经成为Ⅲ-Ⅴ族半导体器件研究的热点。探讨了GaN基量子点的生长及其结构特性，重点研究了GaN基量子点的S-K生长模式及其影响量子点生长的因素，并讨论了GaN基量子点的光致发光特性及其影响因素。