论文部分内容阅读
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频（f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%）和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10^-7h^-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。