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在对SiGeHBT（异质结双极晶体管）载流子输运的研究基础上，建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型，发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关，在正偏情况下，通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用，此时需要考虑可动载流子的影响，本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGe HBT发射极延迟时间的影响。