【摘 要】
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报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMTX波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为1mm的微波功率器
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报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMTX波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为1mm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率（fT）达到30GHz,最大振荡频率（fmax）为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率（PAE）为45%.
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