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<正>采用光致发光(PL)测量法研究了掺锰(0.1~1at.%)GaSe的发射带,根据PL强度与温度的关系曲线、峰值能量与锰浓度的函数关系和激发光谱得出,1.82eV发射带是因导带至受主能级(在价带以上0.30eV)的跃迁引起的.近年来,掺锰GaSe因其在可见光范围的光电子器件中的潜在应用而受到人们的广泛关注.本文详细报道了作为锰浓度函数的能量峰值和激发光谱的实验结果,并依据发射和激发光谱讨论了1.82eV红光发射带的辐射复合机理.