超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

来源 :今日电子 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Hejing

【摘要】

：

<正>Littelfuse与Monolith联手推出两款1200V碳化硅(SiC)n通道增强型MOSFET,这两款产品LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻,分别仅为120mΩ和160

【出处】

：

今日电子

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

低导通电阻 MOSFET 碳化硅

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

<正>Littelfuse与Monolith联手推出两款1200V碳化硅(SiC)n通道增强型MOSFET,这两款产品LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET具有超低导通电阻,分别仅为120mΩ和160mΩ。这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。其还兼具高工作电压和超高

其他文献

基于仲裁集的RFID主动式标签防碰撞MCMA协议

基于仲裁集的概念,针对主动式标签环境提出一种多频道RFID防碰撞协议MCMA,以达到充分使用多频道资源来降低碰撞概率,进而增加整个网络的吞吐量,并减少标签的耗电量。仿真结果显示该协议能有效减少碰撞、降低能耗且适用于RFID系统下主动式标签的环境,进而提升RFID系统整体识别效能。

期刊

射频识别系统防碰撞协议ALOHA协议radio frequency identification anti-collision protocol ALOH

国内首台高压大容积氮气球罐的研制

国内首台设计压力3.0MPa、容积达1500m3的高压大型氮气球罐采用应力分析进行设计,结构模式选取三带八支柱混合式,这样缩短了球罐本体的焊缝长度;选用宝钢生产的07MnCrMoVR调

期刊

高压容器氮气球罐07MnCrMoVR调质钢焊接热处理high pressure vesselnitrogen gas spherical tank

改革办学体制增加教育后劲——对办学体制改革的一点看法

【正】做为培养人才、提供智力资源的教育,要“加快改革开放,加快发展”,必须改革办学体制,广开学路,增加投入。近年来特别是今年,按照国家教育改革的总体部署和省政府国民经

期刊

办学体制改革委培生广开学路非义务教育大改革办学渠道总体部国民经济发展计划国家拨款公用经费

论市场经济条件下大学生主体意识的正确导向

论市场经济条件下大学生主体意识的正确导向李树魁主体意识是人们在认识世界和改造世界过程中，自觉地把自己看作活动承担者和主人翁的一种认识和态度倾向，是一个人主体价值和主

期刊

学生主体意识部分大学生社会主义市场经济经济条件下革命的功利主义建设有中国特色社会主义哲学素养理性精神科学精神创新精神

小学数学教学资源有效开发与利用

开发利用小学数学教学资源有利于激发学生的学习兴趣,丰富数学教学的资料.因此,本文详细地分析了小学数学教学资源开发利用的重要意义和方法,希望能够提高小学数学教学资源的

期刊

小学数学教学资源开发利用

基于遗传算法的单维关联规则挖掘

算法采用了一种新颖的质数编码方式，将数据库属性项压缩为一个数值型的项，把原来用字符串表示的记录转化为用一个合数表示，进而把字符串比较转化为数值运算。通过引入频繁项集估

期刊

数据挖掘关联规则遗传算法data mining association rule genetic algorithm

谈谈初中数学教学存在的问题及解决的途径

<正>初中数学是一门重要的文化基础学科,而对刚从小学升入初中的学生而言,从小学的数扩充到有理数,引进了字母,方程等等,很新鲜,学生比较有兴趣,但是学了一段时间后学生的兴

会议

民国军阀的形成过程

【正】看一看民国军阀的谱系,虽可大致区分为北洋系和非北洋系,但它们各自可再分类如下:(1)北洋系不言而喻,袁世凯作为这派的总帅是大军阀,他死后,他在清末组织训练的七个

期刊

军阀化私兵直系皖系北洋军人为中心张作霖武力冯玉祥

分段函数是否为初等函数的探讨

期刊

函数分段函数初等函数

坚持共产党对统一战线的领导是一项不可动摇的基本原则

【正】统一战线是我们进行新民主主义革命、社会主义革命和社会主义建设的重要法宝。在统一战线中,最根本的问题是领导权问题,坚持共产党对统一战线的领导,是我国统一战线最

期刊

统一战线中国共产党的领导基本原则领导权各民主党派长期存在革命和建设政治基础先锋模范作用社会主义制度

超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

与本文相关的学术论文