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用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器，应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱，实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性，以及其高消光比（＞40dB）和低电容（＜0.5pF），保证了器件可以应用于高速率的传输系统（＞10GHz）。
高消光比偏振不灵敏电吸收调制器
【摘 要】
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用一种新的方法制作出应用于光网络系统的电吸收调制器，应用应变InGaAs/InAlAs材料做多量子阱，实验测量的调制器调制性能显示出器件的偏振不相关性，以及其高消光比（＞40dB）和低电容（＜0
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子工艺中心
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年11期
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