基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lilinjun0954

【摘要】

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提出了一种CaN薄膜电学参量测试新方法．该方法基于双肖特基结二极管结构，利用非对称的电极图形获取整流特性，从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺，可方便地导出电子电导迁移率和肖

【作者】

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罗谦杨谟华杜江锋梅丁蕾王良臣白云霞

【机构】

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电子科技大学微电子学与固体电子学学院,中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年12期

【关键词】

：

GAN 肖特基接触测量方法 GaN Schottky contacts measurement

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提出了一种CaN薄膜电学参量测试新方法．该方法基于双肖特基结二极管结构，利用非对称的电极图形获取整流特性，从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺，可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数．对残留载流子浓度为7×10^16cm^-3的非故意掺杂GaN薄膜进行了试验，新方法得到Ni／Au-GaN肖特基接触的理想因子为2．8，GaN薄膜方块电阻为491Ω和电子电导迁移率为606cm^2／(V·s)．这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通Ni／Au-GaN肖特基二极管测试所得结果较为吻

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