CMOS-DRAM的性能和设计

来源 :清华大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:lequ123123
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本文对近期发展起来的CMOS-DRAM的设计方案和性能优点进行了全面的分析。做在N阱内的单元阵列在抗α软失效方面有很大的好处。利用CMOS的特点使外围电路静态化既可以简化电路,又能提高电路速度和可靠性。对S/R放大器,时钟电路和行译码器等关键电路进行了较详细的分析,显示出CMOS-DRAM比NMOS-DRAM的优越性。 This article provides a comprehensive analysis of the CMOS-DRAM design and performance advantages that have been developed recently. Cell arrays that are within the N well have great benefits in terms of resistance to a-soft failure. The use of CMOS features to peripheral circuit static can both simplify the circuit, but also improve circuit speed and reliability. The key circuits such as S / R amplifier, clock circuit and row decoder are analyzed in more detail, which shows the superiority of CMOS-DRAM over NMOS-DRAM.
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