应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dongchangnie

【摘要】

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采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明

【作者】

：

俞波韩军李建军盖红星牛南辉邓军邢艳辉廉鹏沈光地

【机构】

：

北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京,100022

【出处】

：

半导体光电

【发表日期】

：

2005年3期

【关键词】

：

应变量子阱光增益 GaInNAs

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采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1 300 nm波段的新型长波长半导体光电子材料.

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