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采用VHF－PECVD方法，以高氢稀释的硅烷为反应气体，低温条件下成功地制备了系列μc-Si:H薄膜，对薄膜的厚度测量表明：增大激发频率和反应气压能有效提高沉积效率，随着等离子体功率密度的增大，沉积速率呈现出先增后减的变化，薄膜的Raman光谱，XRD及TEM等测试结果表明，提高衬底温度或减小硅烷浓度，可增大薄膜的结晶度和平均晶粒尺寸；等离子体激发频率的增大只影响薄膜的结晶度，并使结晶度出现极大值；薄膜中存在（111），（220）和（311）三个择优结晶取向，且各结晶取向的平均晶粒尺寸不同。