【摘 要】
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基于密度泛函理论的第一性原理方法,分析了应力对其光解水性质的影响.通过施加压应力,二维GaS的导带底位置下移,价带顶位置上移,使其禁带宽度减小,且导带底电位处于H+/H2还原
【机 构】
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贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳,550025
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基于密度泛函理论的第一性原理方法,分析了应力对其光解水性质的影响.通过施加压应力,二维GaS的导带底位置下移,价带顶位置上移,使其禁带宽度减小,且导带底电位处于H+/H2还原势之上,价带顶电位处于O2/H2O的氧化势之下,材料的光催化能力得到增强.然而,施加拉应力时,导带底电位处于H+/H2还原势之下,阻碍了水光解反应进行.
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