1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究

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一、引言由于石英光纤在1.3μm处于零色散点附近而且损耗极小,因此长波长光纤通信越来越受到人们的重视。用波长1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的光通信系统提供的数据容量为AlGaAs/GaAs双异质结发光二极管光通信系统的十倍,数据率可达2.5KMbit/s,在传输距离上可与AlGaAs/GaAs双异质结激光器相比,InGaAsP/InP双异质结发光二极管同时还具有稳定可靠、驱动简单、价格便宜等优点。因此长波长光纤通信系统的实用化,首先着眼于采用InGaAsP/InP双异质结发光二极管作为光源。本文着重介绍功率型发光二极管的研究。我们首先着眼于功率效率的提高,这就要求外 I. INTRODUCTION As quartz optical fiber is near zero dispersion point at 1.3μm and its loss is very small, long-wavelength optical fiber communication has drawn more and more attention. The data capacity provided by the optical communication system with a 1.3μm InGaAsP / InP double heterojunction LED is ten times that of an AlGaAs / GaAs double heterojunction LED optical communication system with a data rate of up to 2.5KMbit / s, Compared with AlGaAs / GaAs double heterojunction lasers, InGaAsP / InP double heterojunction light-emitting diodes also have the advantages of stable and reliable, simple driving and low price. Therefore, the practical application of the long-wavelength optical fiber communication system first focuses on the use of InGaAsP / InP double heterojunction light-emitting diodes as a light source. This article focuses on the research of power LED. We first focus on improving power efficiency, which requires external
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