通过较精确地求解能量本征方程获得量子环中量子比特内的电子概率密度分布。对InAs量子环的数值计算表明：电子概率密度分布与电子的坐标（半径、高度，角度）及时间有关。当其中三个
采用真空热蒸镀的方法，在常规的双层器件结构的基础上，设计了三层双异质结有机电致发光器件（OLED）：indium-tin oxide（ITO）／N，N＇-diphenyl，N，N＇-bis（1-naphthyl）（1，1’-biphenyl）-4，4＇-diamine（NPB）／2
采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌（DEZn）为锌源，N2O作为氧和氮源，H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征，结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳
<正>After a boyhood spentin a number of countries,Bill Yen enrolled as an undergraduate student at theUniversity of Redlands,a private liberal arts andsciences
实验中以PEDOT：PSS在ITO基片上旋涂作为空穴传输层，并且在旋涂PEDOT：PSS的过程中在与ITO玻璃平面垂直的方向施加一个诱导聚合物取向的高压电场，试验着重研究了所加电场强度对双层
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构外延层,并用变温光致发光（PL）光谱、选择激发光谱以及激发（PLE）光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应
合成了以稀土离子Sm3＋、Eu3＋、Tb3＋、Dy3＋及Tb3＋为发光中心,以苯氧乙酸（HPOA）和邻菲罗啉（phen）为配体,掺杂La3＋、Gd3＋、Y3＋的7种稀土配合物,对配合物进行了C、H、N元素分析、稀土络合滴定
通过低温光致发光（PL）谱研究氢化对ZnO发光性质的影响。氢通过一个直流等离子体发生装置引入到ZnO晶体。研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度，特别是I4峰（3．363eV）的强度
以荷叶为实验材料，用BPCL型微弱发光测量仪，测定了不同浓度NaCl溶液处理不同时间的叶片的延迟发光，观察了延迟发光初始强度随处理时间的变化和延迟发光衰减参数随处理时间的变化
作者简介:陈文胜(1975- ),男,河南信阳人,中国人民大学马克思主义学院中共党史专业博士生,主要研究方向为党的学说与党的建设。 摘 要:制度不完备、制度不适以及执行不力是当今腐败现象滋生蔓延的重要因素。党的十七届四中全会把反腐倡廉建设的落脚点放在制度创新方面,这说明从制度上对权利加以制约,建立适应转型期需要的反腐败制度,以制度创新遏制腐败,才是治本之策。 关键词:十七届四中全会;反腐倡廉