【摘 要】
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《Electronics Letters》1991年第4期报道了美国通用电气公司电子实验室研制的最高振荡频率达455GHz的InP HEMT.该器件用分子束外延在半绝缘(100)InP衬底上调制掺杂制备InAlA
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《Electronics Letters》1991年第4期报道了美国通用电气公司电子实验室研制的最高振荡频率达455GHz的InP HEMT.该器件用分子束外延在半绝缘(100)InP衬底上调制掺杂制备InAlAs/InGaAs异质结.该HEMT结构由下列各层组成:0.25μm厚未掺杂InAlAs
“Electronics Letters” No.4, 1991 This paper reports the InP HEMT with the highest oscillation frequency up to 455GHz developed by the General Electric Company’s Electronics Laboratory in the United States, which uses molecular beam epitaxy to prepare doped InAlAs on a semi-insulating (100) InP substrate / InGaAs heterojunction The HEMT structure consists of the following layers: 0.25 [mu] m thick undoped InAlAs
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