【摘 要】
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给出了根据给定的电路拓扑结构和ＦＥＴ的Ｓ参数，借用Ｓｍｉｔｈ圆图设计思想进行放大器设计的机辅设计方法，并用该方法设计了Ｘ波段ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率放大器。实验调试结果表明运用该方法能很好地满足设计指标
【机 构】
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洛阳电子装备试验中心,长沙国防科大四系
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给出了根据给定的电路拓扑结构和ＦＥＴ的Ｓ参数，借用Ｓｍｉｔｈ圆图设计思想进行放大器设计的机辅设计方法，并用该方法设计了Ｘ波段ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ功率放大器。实验调试结果表明运用该方法能很好地满足设计指标且简单有效。
According to the given circuit topology and the S-parameters of the FET, an auxiliary design method of amplifier design based on the Smith chart design idea is given. The X-band GaAsMES-FET power amplifier is designed by this method. Experimental results show that the method can be used to meet the design requirements and is simple and effective.
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