电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yan19891989

【摘要】

：

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用

【作者】

：

刘明陈宝钦等

【机构】

：

中国科学院微电子中心

【出处】

：

微细加工技术

【发表日期】

：

2002年1期

【关键词】

：

接触式曝光机混合曝光技术电子束曝光 electron beam lithography mix and match

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Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ

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