【摘 要】
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第十三届国际GaAs及有关化合物会议于1986年9月28日至10月1日在美国内华达州拉斯纬加斯市举行。会议由美国空军科学研究所等单位主办。会议代表共354人,包括我国代表2人,会
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第十三届国际GaAs及有关化合物会议于1986年9月28日至10月1日在美国内华达州拉斯纬加斯市举行。会议由美国空军科学研究所等单位主办。会议代表共354人,包括我国代表2人,会上共宣读论文94篇,其中有在全体会议上宣读的特邀报告3篇,其余论文分两个会场同时宣读。 这次会议的中心议题是用MOCVD、MBE及与
The 13th International Symposium on GaAs and Related Compounds was held in Las Vegas, Nevada, USA from September 28 to October 1, 1986. The meeting was sponsored by the United States Air Force Academy of Science and other units. A total of 354 delegates attended the conference, including 2 delegates from China. A total of 94 papers were read at the conference. Among them, 3 were specially invited reports read out in plenary sessions, and the remaining papers were read out simultaneously in two venues. The central topic of this meeting is to use MOCVD, MBE and
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