【摘 要】
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磷化镓绿色发光二极管是近代新型的半导体发光显示器件。器件发光效率与掺入等电子陷阱氮的浓度息息相关。本文应用热力学理论算出赝二元合金Ga P_(1-x)N_x中氮的溶解度与温
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磷化镓绿色发光二极管是近代新型的半导体发光显示器件。器件发光效率与掺入等电子陷阱氮的浓度息息相关。本文应用热力学理论算出赝二元合金Ga P_(1-x)N_x中氮的溶解度与温度关系。对指导提高磷化镓绿色发光效率有直接的作用。
Gallium Phosphide green light-emitting diode is a modern new type of semiconductor light-emitting display device. The luminescent efficiency of the device is closely related to the concentration of electron trap doped with nitrogen. In this paper, thermodynamic theory was used to calculate the relationship between nitrogen solubility and temperature in Ga P 1-x N x pseudo-binary alloys. Guidance to improve the gallium phosphide green luminous efficiency has a direct effect.
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