【摘 要】
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一种新的制作金属氧化物半导体的方法,不仅把速度提高5倍,而且开辟了 MOS 工艺在整个微波领域的应用。所谓双扩散 MOS 包括通过单掩膜孔进行两步扩散,以便形成1微米长的沟道
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一种新的制作金属氧化物半导体的方法,不仅把速度提高5倍,而且开辟了 MOS 工艺在整个微波领域的应用。所谓双扩散 MOS 包括通过单掩膜孔进行两步扩散,以便形成1微米长的沟道。其结果是:最高振荡频率为10千兆赫的分立微波晶体管,在2千兆赫下增益为7分贝,在1千兆赫下噪声系数为4.5分贝。在数字领域中,双扩散 MOS 器件可以亚毫微秒速度开关,而且需要的话,可有较高的击穿电压。
A new method for fabricating metal-oxide-semiconductor not only increases the speed by five times, but also opens up the application of MOS technology in the entire microwave field. The so-called double-diffused MOS includes two-step diffusion through a single mask hole to form a 1 micron long channel. The result: a discrete microwave transistor with a maximum oscillation frequency of 10 GHz, a gain of 7 dB at 2 GHz and a noise figure of 4.5 dB at 1 GHz. In the digital realm, double-diffused MOS devices can be sub-nanosecond-speed switching, and if necessary, have a higher breakdown voltage.
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