微波晶体管相关论文
应用微波晶体管放大器的饱和输出功率特性实现限幅功能,采用模块化的设计方法,研制出X波段微波限幅放大器.根据微波晶体管在大信号......
讨论了微波晶体管处于绝对稳定状态下及潜在不稳定状态下单级和多级小信号放大器匹配网络的设计方法。将Smith圆图与CAD软件Serena......
关于微波晶体管的RF参数测试方法,国内大部分使用的都是人工手动测试方法。而人工手动测试一只功率晶体管单管的RF全部参数(工作频......
报道了L波段低端短脉宽360w硅微波脉冲大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技......
本文用负阻概念分析了微波晶体管振荡器的基本工作原理及设计方法，着重讨论了微波振荡器的电路特性，给出了精确可靠的数学模型，并编写......
利用微波晶体管的负阻特性,基于AgilentADS软件,设计出一种Ku波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(简称VCO)。对VCO进行实......
随着微波通信的急速发展，微波电路在通信、电子等各个通信产业应用极其广泛，但随着器件工作频率和功率的增大，系统常处于非线性的状态......
瑞士铝业公司将引进一种新品级bN镓,主要是用于发光二极管的生产。这一需用量比场化晶体管和微波晶体管的需要量略低。因此这种产......
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阐述了声学显微镜（ＳＡＭ）的结构、工作原理，以及声学显微镜在电子元器件检测中广泛的实际应用研究；指出ＳＡＭ是一种具有观察、检测、分析的多功能......
一、引言近几年来,随着电子器件向高频、高集成度方向发展,要求制作最细线条为微米、亚微米级微细图形的掩膜板,普通光学老工艺碰......
本文描述了一个窄脉冲峰值电压的测量方法。该电路采用一个有前置放大器的脉冲延长器电路。这个放大器用来减小脉冲延长器电路的充......
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目前,频率达6 GC,增益5 db,噪声系数6db。将来,频率将扩大到15～20GC;在6GC时,增益增加到10db;在8GC,增益5db。噪声系数不会下降得......
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Texas仪器公司最近解决了用于微波频率(4或5 GC以上)硅晶体管的包装问题,其包装方法可消除包装阻抗损失和寄生量,使有用的输出频......
目前微波晶体管大多数是硅平面外延扩散NPN结构。近几年来,为了在更高频率下获得更大功率,在发射极图形方面想了不少办法。从雪花......
砷化镓肖特基势垒栅场效应晶体管,作为微波晶体管(简称GaAsSBFET)比现存的硅双极晶体管具有更低的噪声和更好的高频特性,而引人注......
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美帝阿凡蒂克公司研制的 AM-4210系列全硅晶体管放大器是专门为通信卫星地面站设计的。这些放大器均采用该公司的微波晶体管。AM-......
随着器件工艺的发展,小信号硅微波晶体管性能有了很大改进,其中比较主要的器件工艺是: 1.1 微米发射极条宽; 2.砷扩散发射极; 3.......
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采用砷作为一种 N~+发射极掺杂剂提高微波晶体管的截止频率。对于同样的表面几何形状来说,若采用砷,能获得3.2千兆赫的截止频率;......
V578微波晶体管是一种发展了的微波波段低噪声放大器件。使用它可以在6千兆赫下起到放大和振荡作用。它的特性是:载止频率在7千兆......
本文叙述了 npn 等平面结构的微波晶体管的制造过程和性能。制造过程包括用高压水汽选择氧化实现等平面结构、亚微米光刻、杂质分......
本文描述了确定装配在微带中的微波晶体管管壳的寄生电抗的谐振测量法。给出了由额定尺寸和按比例放大模型得到的两种类型管壳的测......
业已用自动化电子束曝光机大批量制作微波晶体管(ML-220),在6千兆赫下最小增益为8分贝,最大噪声系数为5.5分贝。本报告讨论了电子......
本文介绍了作为高速微波混合集成电路用的无管壳晶体管的新封装方法——悬浮引线晶体管(LLT)。由于采用了过去的研究成果和半导体......
为了使晶体管能够工作十年以上而不至于损坏,需考虑很多可靠性的设计方案。在这方面各种意见讨论的结果已体现在关于微波晶体管各......
本文描述了采用分开的工艺过程来形成有源基区和无源基区的一种改进的微波晶体管结构。在这种结构中,由于采用重掺杂的无源基区具......
一种新的制作金属氧化物半导体的方法,不仅把速度提高5倍,而且开辟了 MOS 工艺在整个微波领域的应用。所谓双扩散 MOS 包括通过单......
本文对[1]所设计的CG38型微波晶体管的f_T值进行了估算,计算结果与测量值相符,从而解决了[1]中f_T设计值与测量值不符的矛盾。本文......
本文提出了一种新型结构的Npn砷化镓双极型微波晶体管,该结构用一个两层的镓铝砷(Ga_(0.4)Al_(0.6)As/Ga_(0.7)Al_(0.3)As)来代替......
引言本文报导一种适用于研究和制作电流增益带宽乘积f_r达5千兆赫的平面微波晶体管的硼扩散技术。通过淀积最小厚度的硼玻璃来实......
一、引言众所周知,晶体管有放大信号的功能,但当输入交流信号频率升高时,晶体管放大能力要下降,这是所有晶体管的共性.然而实际测......
本文就微波晶体管制造厂家正在采用的各种几何图形和金属化系统作一评论。
This article makes a comment on the various geomet......
引进一种砷扩散的亚微米发射极,得以研制出在4千兆赫下最小噪声系数为2分贝、相应的功率增益为9.5分贝的硅微波晶体管。为了使低噪......
仅仅考虑晶体管的发射极周长与基极面积之比可能导致不良的射频性能。本文对f_(max)和f_T表示式的分析以及实验结果表明:性能与三......
晶体管管壳要做得很小,以便减小高频寄生参量,而较大的管壳比较结实。本文分析了管壳的设计折衷考虑。
Transistor housings have......
近来表明,用于空间设备的线性微波放大器中,所用的大量的各种类型微波晶体管都是对辐射敏感的。由于晶体管的h_(FE)是对辐射非常敏......
