【摘 要】
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用X射线回摆曲线图,研究了在(110)GaAs衬底上,汽相外延(VPE)生长In_xGa_(1-x)As层的晶格失配和晶面倾斜,计算的失配应变在10~(-3)数量级,其弹性应力在10~9达因/厘米~2数量级
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用X射线回摆曲线图,研究了在(110)GaAs衬底上,汽相外延(VPE)生长In_xGa_(1-x)As层的晶格失配和晶面倾斜,计算的失配应变在10~(-3)数量级,其弹性应力在10~9达因/厘米~2数量级。由此,还可以很容易确定其组分X值,本实验样品的X值为3—8%左右。
The lattice mismatch and crystal plane tilt of the In_xGa_ (1-x) As layer grown by vapor phase epitaxy (VPE) on (110) GaAs substrate were investigated by X-ray back-rocking curve. The calculated mismatch strain was 10 ~ (-3) order of magnitude, its elastic stress in the range of 10 ~ 9 dyne / cm ~ 2. As a result, the X value of the component can also be easily determined, and the X value of the experimental sample is about 3-8%.
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