【摘 要】
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用密度泛函B3LYP方法在6-311＋＋g（3df,3pd）基组水平下对GaAs在不同强度外电场（-0.003～0.003 a.u.）下分子基态的稳定电子结构进行计算,研究了外电场对GaAs分子基态总能量、键长、偶极
【机 构】
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贵州师范大学物理与电子科学学院,四川大学原子与分子物理研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金（10974139和10964002）, 贵州省优秀科技教育人才省长基金（黔省专合字（2006）113号）, 贵州省教育厅自然科学重点项目（2005105）, 贵州省科学技术基金（黔科合J字[2009]2066号）, 贵州省高层次人才科研条件特助项目（TZJF-2008年-42号）资助项目
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用密度泛函B3LYP方法在6-311＋＋g（3df,3pd）基组水平下对GaAs在不同强度外电场（-0.003～0.003 a.u.）下分子基态的稳定电子结构进行计算,研究了外电场对GaAs分子基态总能量、键长、偶极矩、能级分布、能隙、电荷分布、红外光谱及势能曲线的影响.结果表明,随着Ga→As方向外电场的增加,分子键长、偶极矩增大,原子电荷也递增,能隙、谐振频率及其红外强度递减,总能量降低;在外电场作用下,GaAs基态分子势能曲线也发生变化,离解能随之变化.
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